DRAM市场方面,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。
NAND方面,SK海力士计划推出HBM5、还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。
在2029至2031年,还有定制款的HBM4E。线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,12层和16层堆叠的HBM4E,

在2026至2028年,LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。在NAND方面,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,DRAM和NAND,
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,HBM5E以及其定制版本,他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,还有很大潜力可以挖掘,面向AI市场有专用的高密度NAND。而标准的上限是48Gbps,